非显而易见法律服务网

技术特征描述以及公开性判断结果	对比文件原文引用	公开性论述
技术特征A：包括：基板《直接公开》	[0001] 본 발명은 전류 측정에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 관통 실리콘 비아를 이용한 전류 측정 소자, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 전류 측정 회로에 관한 것이다.<br>[0033] 제1 관통 실리콘 비아(110)는 기판(170)의 일면으로부터 다른 일면으로 관통하여 형성된다。	对比文件明确公开了其技术方案包含“기판(170)”（基板170），例如第[0033]段记载了第一穿透硅通孔形成于基板中。该基板是电流测量元件的基础支撑结构，与目标专利中作为电感器支撑结构的基板作用相同。因此，技术特征A被对比文件直接公开。
技术特征B：以及布置在所述基板上的螺旋电感器，所述螺旋电感器是梯度层堆叠电感器《未公开》	[0033] 전도성 패턴들(140, 160)은 제2 관통 실리콘 비아들(131, 132, ..., 13n) 및 제3 관통 실리콘 비아들(151, 152, ..., 15n)을 경유하는 코일(coil) 구조의 도전 경로를 형성하도록...<br>[0042] 실시예에 있어서, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 코일 구조는 토로이드 코일(toroid coil) 구조일 수 있다。	对比文件公开了由导电图案和穿透硅通孔（TSV）形成的“코일 구조”（线圈结构）或“토로이드 코일 구조”（环形线圈结构）。然而，该结构是用于测量通过中心TSV电流的传感线圈，其功能是感生电压以测量电流，而非作为提供特定电感值的电感器使用。更重要的是，对比文件完全没有描述该线圈结构的导体在垂直于基板方向上的“厚度”，更没有描述该厚度沿着线圈的匝（特别是最内匝）呈“梯度”变化。目标专利的“梯度层堆叠电感器”核心在于通过最内匝厚度梯度变化来减小涡流损耗，对比文件既未公开此结构，也未给出任何相关技术启示。因此，技术特征B未被对比文件公开。
技术特征C：其中所述螺旋电感器的最内匝的第一部分具有在垂直于所述基板的方向上的第一厚度《未公开》	无相应记载。	目标专利中“最内匝”及其“第一部分”的厚度是梯度层堆叠电感器的关键特征。对比文件虽然描述了由TSV和导电图案形成的环形线圈结构，可能具有内外圈之分，但从未提及任何导电部分（无论是TSV还是表面导电图案）在“垂直于基板方向上的厚度”。对比文件关注的是TSV的深度、直径以及水平连接，并未讨论导体沉积层的垂直尺寸（厚度）及其变化。因此，本领域技术人员无法从对比文件毫无疑义地得出或推理出该技术特征。
技术特征D：所述最内匝的第二部分具有在垂直于所述基板的方向上的第二厚度《未公开》	无相应记载。	理由同技术特征C。对比文件未公开线圈结构中任何部分在垂直方向上的厚度，更未区分最内匝的不同部分并赋予其不同厚度。
技术特征E：其中所述第二厚度大于所述第一厚度《未公开》	无相应记载。	由于对比文件未公开任何关于“第一厚度”和“第二厚度”的信息，因此更无法公开两者之间的大小关系。
技术特征F：所述螺旋电感器的所述最内匝的第三部分具有在垂直于所述基板的方向上的第三厚度《未公开》	无相应记载。	理由同技术特征C。
技术特征G：其中所述第三厚度大于所述第一厚度和所述第二厚度《未公开》	无相应记载。	由于对比文件未公开任何关于“第一厚度”、“第二厚度”和“第三厚度”的信息，因此无法公开它们之间的大小关系。
技术特征H：并且所述螺旋电感器在垂直于所述基板的方向上的厚度根据所述最内匝中从所述第一厚度到所述第三厚度的梯度而增大《未公开》	无相应记载。	这是目标专利梯度层堆叠电感器的核心特征。对比文件完全没有涉及线圈导体厚度在径向（或沿匝）方向上的梯度变化概念。其线圈结构的形成依赖于TSV和表面互连，目的是构成完整的环形电流路径以进行电磁感应测量，与通过改变导体厚度来优化涡流损耗的技术思路完全不同。因此，该特征未被公开。
技术特征I：其特征在于：所述螺旋电感器包括第一导电螺旋和第二导电螺旋，其中所述第一导电螺旋覆盖所述第二导电螺旋，所述最内匝的所述第一部分包括所述第二导电螺旋的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋，所述最内匝的所述第三部分包括所述第一导电螺旋的第一端部和所述第二导电螺旋的一部分，并且所述导电螺旋的最外匝的一部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述第一导电螺旋的一部分《未公开》	[0060] 제1 전도성 패턴들(140a)은 기판(170)의 상기 일면에 형성되는 제1 재배선층(171) 내에 포함될 수 있다. 제2 전도성 패턴들(160a)은 기판(170)의 상기 다른 일면에 형성되는 재배선층(redistribution layer, 173)내에 포함될 수 있다。	对比文件公开了在基板的上表面和下表面形成导电图案（如140, 160），它们可能位于不同的再分布层中。然而，这些导电图案的功能是水平连接TSV以形成环形线圈路径，它们本身并非独立的“螺旋”形状，更不构成一个覆盖另一个的“第一导电螺旋”和“第二导电螺旋”的堆叠关系。目标专利中特定的堆叠结构（如最内匝第一部分仅包含下层螺旋等）是为了实现厚度阶梯式变化，对比文件没有任何内容描述或暗示这种具体的层间覆盖与暴露关系。因此，技术特征I未被公开。
技术特征J：其特征在于，所述第二导电螺旋的第一长度大于所述第一导电螺旋的第二长度《未公开》	无相应记载。	对比文件未公开任何“第一导电螺旋”和“第二导电螺旋”，因此其长度关系无从谈起。
技术特征K：其特征在于，所述螺旋电感器进一步包括在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的导电层，其中所述最内匝的所述第二部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述导电层的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋《未公开》	无相应记载。	对比文件未公开如目标专利所述的位于两个导电螺旋之间的“导电层”，也未公开最内匝第二部分由特定层组合构成的结构。
技术特征L：其特征在于，所述导电层包括非连续螺旋《未公开》	无相应记载。	对比文件未公开目标专利中所述的“导电层”，因此其是否为非连续螺旋无从判断。
技术特征M：其特征在于，所述导电层包括输入引线、输出引线、或其组合《未公开》	[0034] 전극들(120, 121)은 기판(170)의 상면과 하면에 각각 형성되며, 제1 관통 실리콘 비아(110)와 전기적으로 연결된다. 전극(120)은 제1 포트(P1)를 형성할 수 있다. 한편, 상기 코일 구조의 도전 경로는 양 끝에 두 개의 단자들(P2, P3)을 가진다。	对比文件公开了其线圈结构的导电路径两端具有端子（P2, P3），用于测量感应电压。虽然这些端子可视为电连接点，但它们属于整个环形线圈路径的端点，并非目标专利中所述“导电层”的一部分或“导电层”所包含的输入/输出引线。目标专利的引线与特定的导电层结构相关，而对比文件的端子是其测量功能的一部分，结构和技术目的均不同。因此，技术特征M未被公开。
技术特征N：其特征在于，进一步包括形成在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的钝化层《未公开》	[0058] 관통 실리콘 비아들(110, 130, 150)의 둘레에는 기판(170)과의 직접적인 전기적 접촉을 막기 위해 이산화규소(SiO2)막이 각각 형성될 수 있다。	对比文件提到在TSV周围形成二氧化硅（SiO2）膜，用于绝缘，防止与基板直接电接触。这是TSV工艺中常见的绝缘层，其作用是在TSV和硅基板之间提供电隔离，而非专门设置在两个堆叠的导电螺旋之间作为“钝化层”。目标专利的钝化层用于隔离不同的导电螺旋层，作用不同。因此，技术特征N未被公开。
技术特征O：其特征在于，所述第二导电螺旋通过延伸穿过所述钝化层的一部分的通孔电连接至所述第一导电螺旋《未公开》	[0033] 제1 관통 실리콘 비아(131)는 제2 관통 실리콘 비아(151)와 제1 전도성 패턴(140)을 통하여 전기적으로 연결된다...	对比文件公开了通过TSV（如131, 151）和表面导电图案（如140）实现不同层间的垂直电连接。然而，这些TSV连接的是位于基板上下表面的导电图案以形成环形线圈，其连接对象和结构（TSV穿透整个基板）与目标专利中“穿过钝化层的一部分的通孔”连接两个堆叠的螺旋有本质区别。目标专利的通孔是局部互连结构，而对比文件的TSV是构成线圈回路的必要垂直导体。因此，技术特征O未被公开。
技术特征P：其特征在于，所述最内匝在垂直于所述基板的方向上的厚度从所述最内匝的所述第一部分到所述最内匝的所述第二部分单调递增《未公开》	无相应记载。	对比文件未公开任何关于最内匝或其各部分厚度的信息，因此更未公开厚度单调递增的特征。