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技术特征描述及公开性判断结果	对比文件原文引用	公开性论述
技术特征A《直接公开》	[0028]段：“The three dimensional inductor 200 is disposed in a substrate 210.”<br>（三维电感器200被设置在基板210中。）	对比文件明确公开了其三维电感器是设置在一个基板（substrate）中的。这与目标专利中“包括基板”这一技术特征的作用相同，都是为电感器提供物理支撑和安装基础。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地得出对比文件公开了“基板”这一特征。
技术特征B《未公开》	未公开相关内容。	目标专利的“梯度层堆叠电感器”特指一种螺旋电感器，其厚度从最内匝到最外匝（或沿最内匝）呈梯度（斜坡式）连续变化，以实现减小涡流损耗的目的。对比文件公开的三维电感器，其主要特征在于线圈位于不同平面（如XY平面和XZ平面）以产生非平行磁场，其目的是提高品质因数和自谐振频率。对比文件全文未提及电感器导体的厚度变化，更未提及为了实现降低电阻目的而设计的“梯度层堆叠”结构。因此，对比文件既未直接公开也未隐含公开此特征。
技术特征C《未公开》	未公开相关内容。	目标专利中“最内匝的第一部分具有第一厚度”是其梯度层堆叠结构的具体体现。对比文件仅描述了线圈在不同金属层和介质层中的平面布局，并未描述线圈导体在垂直基板方向上的厚度，尤其没有描述最内匝不同部分的厚度差异。因此，对比文件未公开此特征。
技术特征D《未公开》	未公开相关内容。	同上，对比文件未描述螺旋电感器最内匝不同部分具有不同厚度。因此，未公开此特征。
技术特征E《未公开》	未公开相关内容。	由于对比文件未公开技术特征C和D（即未提及最内匝第一部分和第二部分的厚度），因此更不可能公开这两个厚度之间的大小关系（第二厚度大于第一厚度）。因此，未公开此特征。
技术特征F《未公开》	未公开相关内容。	目标专利中“最内匝的第三部分具有第三厚度”是其梯度结构的进一步细化。对比文件未描述螺旋电感器最内匝存在具有特定厚度的第三部分。因此，未公开此特征。
技术特征G《未公开》	未公开相关内容。	由于对比文件未公开技术特征C、D、F（即未提及第一、第二、第三厚度），因此不可能公开这三个厚度之间的大小关系（第三厚度大于第一和第二厚度）。因此，未公开此特征。
技术特征H《未公开》	未公开相关内容。	目标专利的特征H“厚度根据梯度而增大”是整个梯度层堆叠电感器的核心定义。对比文件中的三维电感器关注的是线圈在三维空间中的走向（平面取向），完全不涉及导体厚度的梯度变化设计。本领域技术人员阅读对比文件后，无法推理出其电感器具有厚度梯度。因此，对比文件未公开此特征。
技术特征I《未公开》	未公开相关内容。	目标专利的特征I详细定义了第一、第二导电螺旋的覆盖关系以及它们在最内匝、最外匝不同部分的构成。对比文件虽然描述了由不同金属层（如L1, L10）形成的线圈，并通过通孔连接，但并未将这些线圈描述为“覆盖”关系，也未明确指出哪个是第一导电螺旋、哪个是第二导电螺旋，更没有描述最内匝的不同部分（如第一部分、第三部分）具体由哪个螺旋的哪一端构成。对比文件的结构是实现三维磁场，而非通过控制不同螺旋的覆盖长度来形成厚度梯度以降低损耗。因此，对比文件未公开此特征。
技术特征J《未公开》	未公开相关内容。	目标专利的特征J限定了两个导电螺旋的长度关系。对比文件未对其描述的线圈或螺旋的长度进行比较或限定。因此，未公开此特征。
技术特征K《未公开》	未公开相关内容。	目标专利的特征K限定了在第一、第二导电螺旋之间存在一个“导电层”，并明确了该导电层在最内匝第二部分的构成。对比文件中的多层结构包含介质层（dielectric layer）和金属层（metal layer）。虽然金属层可以导电，但对比文件并未将其中的某一层在特定位置（如两个螺旋之间）明确界定为起连接或构成作用的“导电层”，更未描述该层在最内匝第二部分的具体构成。因此，对比文件未公开此特征。
技术特征L《未公开》	未公开相关内容。	目标专利的特征L限定了导电层可以是“非连续螺旋”。对比文件未提及任何层或结构是“非连续螺旋”。因此，未公开此特征。
技术特征M《未公开》	未公开相关内容。	目标专利的特征M限定了导电层可以包括输入/输出引线。对比文件提到了“外部节点”（external node，如[0032]段的505、507），这些节点用于外部连接，可视为引线。但是，这些节点被描述为属于线圈（如第一线圈502、第二子线圈508），而非属于一个单独的“导电层”。对比文件没有公开“导电层包括引线”这一具体结构。因此，未公开此特征。
技术特征N《未公开》	未公开相关内容。	目标专利的特征N限定了在第一、第二导电螺旋之间有“钝化层”。对比文件在多层结构中提到了“介质层”（dielectric layer），其作用包括绝缘和支撑。虽然“钝化层”在广义上也属于介质层的一种，但对比文件并未明确该层是用于钝化或隔离两个特定导电螺旋的，也未使用“钝化层（passivation layer）”这一术语。本领域技术人员无法毫无疑义地确定其介质层就是目标专利所指的“钝化层”。因此，未直接公开。同时，对比文件也未提供足够信息以隐含推理出存在钝化层。因此，未公开此特征。
技术特征O《直接公开》	[0031]段：“...the two via wires 504b and 504c penetrate through the dielectric layers M1-M9 and conductive wires layers L1-L10 and are connected to the metal wire 504a.”<br>（...两个通孔导线504b和504c穿过介质层M1-M9和导电导线层L1-L10并连接到金属线504a。）<br>[0041]段：“...a connection via 709 and a connection wire 711 may be used to connect the first coil 702 and the second coil 704...”<br>（...连接通孔709和连接线711可用于连接第一线圈702和第二线圈704...）	对比文件多次描述了通过“通孔（via）”来连接位于不同层的线圈或金属线（例如，连接第一线圈和第二线圈）。通孔的作用是提供垂直方向的电连接。在目标专利中，通孔的作用同样是电连接第一导电螺旋和第二导电螺旋。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地从对比文件中得出“通过通孔电连接”这一技术特征。虽然对比文件未限定通孔穿过的是“钝化层”，但“通孔连接”这一核心手段已被直接公开。
技术特征P《未公开》	未公开相关内容。	目标专利的特征P“最内匝厚度单调递增”是特征H“梯度增大”的具体表现之一。如前述，对比文件完全不涉及导体厚度的变化设计，因此不可能公开厚度是否“单调递增”。因此，未公开此特征。