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技术特征描述及公开性判断结果	对比文件原文引用	公开性论述
技术特征A：包括：基板<br>判断结果：《直接公开》	[0052] “...the substrate includes a substantially planar substrate blank that may be formed from a semiconductor material, e.g., silicon, gallium arsenide, or indium phosphide, a ceramic, a plastic or resin, a glass such as a photoetchable glass, or a so-called silicon-on-insulator substrate (e.g., silicon-on-glass, silicon-on-ceramic, silicon-on-sapphire, etc.).”<br>（译文：……所述基板包括基本上平面的基板坯料，其可由半导体材料（例如，硅、砷化镓或磷化铟）、陶瓷、塑料或树脂、玻璃（例如光敏玻璃）或所谓的绝缘体上覆硅基板（例如，玻璃上覆硅、陶瓷上覆硅、蓝宝石上覆硅等）形成。）	对比文件[0052]段明确公开了用于电子封装的“基板”（substrate）。该基板是承载其他结构（如通孔、互连线等）的基础支撑部件。该特征在对比文件中的作用是作为微电子封装结构的载体，与目标专利中作为电感器支撑结构的基板作用相同。本领域技术人员能毫无疑义地得出对比文件公开了“基板”这一技术特征。
技术特征B：以及<br>布置在所述基板上的螺旋电感器，所述螺旋电感器是梯度层堆叠电感器，<br>判断结果：未被公开	未发现相关内容。	对比文件全文描述了一种用于半导体封装的光敏玻璃陶瓷材料及其制造方法，以及由该材料形成的结构，如通孔（TGVs）、微流体通道、光学波导、嵌入式无源器件等。虽然[0057]段提到了“imbedded passive devices”（嵌入式无源器件），但并未具体公开该无源器件是“螺旋电感器”，更没有公开其具有“梯度层堆叠”的结构特征（即厚度沿螺旋最内匝连续变化）。螺旋电感器与对比文件重点描述的互连通孔、流体通道等在结构、功能和原理上均存在本质区别。因此，对比文件既未直接公开也未隐含公开“布置在基板上的梯度层堆叠螺旋电感器”。
技术特征C：其中所述螺旋电感器的最内匝的第一部分具有在垂直于所述基板的方向上的第一厚度<br>判断结果：未被公开	未发现相关内容。	由于对比文件未公开“螺旋电感器”，因此自然也未公开该螺旋电感器“最内匝的第一部分具有第一厚度”这一具体结构特征。该特征与电感器的涡流损耗优化直接相关，对比文件中没有任何内容涉及或暗示这种针对电感器性能的厚度设计。
技术特征D：，所述最内匝的第二部分具有在垂直于所述基板的方向上的第二厚度，<br>判断结果：未被公开	未发现相关内容。	理由同特征C。对比文件未公开螺旋电感器，也未公开其最内匝具有不同厚度的多个部分。
技术特征E：其中所述第二厚度大于所述第一厚度，<br>判断结果：未被公开	未发现相关内容。	理由同特征C、D。对比文件未公开螺旋电感器最内匝不同部分的厚度大小关系。
技术特征F：所述螺旋电感器的所述最内匝的第三部分具有在垂直于所述基板的方向上的第三厚度，<br>判断结果：未被公开	未发现相关内容。	理由同特征C、D、E。对比文件未公开该特征。
技术特征G：其中所述第三厚度大于所述第一厚度和所述第二厚度，<br>判断结果：未被公开	未发现相关内容。	理由同特征C、D、E、F。对比文件未公开该特征。
技术特征H：并且所述螺旋电感器在垂直于所述基板的方向上的厚度根据所述最内匝中从所述第一厚度到所述第三厚度的梯度而增大。<br>判断结果：未被公开	未发现相关内容。	对比文件未公开任何关于“螺旋电感器”厚度“梯度”变化的技术内容。虽然对比文件描述了通过曝光和蚀刻可以形成具有特定形状的三维结构（如通孔、通道），但这些结构的厚度变化（如果存在）是为了实现高深宽比蚀刻或形成特定空腔，而非为了在螺旋电感器的最内匝实现厚度的梯度变化以优化电感性能（如减小涡流损耗）。两者目的和作用完全不同。
技术特征I：其特征在于：<br>所述螺旋电感器包括第一导电螺旋和第二导电螺旋，其中所述第一导电螺旋覆盖所述第二导电螺旋，所述最内匝的所述第一部分包括所述第二导电螺旋的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋，所述最内匝的所述第三部分包括所述第一导电螺旋的第一端部和所述第二导电螺旋的一部分，并且所述导电螺旋的最外匝的一部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述第一导电螺旋的一部分。<br>判断结果：未被公开	未发现相关内容。	对比文件未公开任何关于由两个导电螺旋堆叠构成且具有特定覆盖关系和部分包含关系的螺旋电感器结构。其描述的通孔金属化（如[0082]段电镀铜）形成的是垂直互连通道，而非平面螺旋形的导电轨迹。
技术特征J：其特征在于，所述第二导电螺旋的第一长度大于所述第一导电螺旋的第二长度。<br>判断结果：未被公开	未发现相关内容。	理由同特征I。对比文件未公开构成螺旋电感器的两个导电螺旋，因此也未公开它们之间的长度关系。
技术特征K：其特征在于，所述螺旋电感器进一步包括在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的导电层，其中所述最内匝的所述第二部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述导电层的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋。<br>判断结果：未被公开	未发现相关内容。	对比文件未公开在螺旋电感器的两个导电螺旋之间设置导电层的技术特征。虽然对比文件描述了在基板上沉积金属层形成互连线或通孔填充，但这些金属层并非作为螺旋电感器内部特定匝的组成部分，也不具备特征K所限定的包含关系和作用。
技术特征L：其特征在于，所述导电层包括非连续螺旋。<br>判断结果：未被公开	未发现相关内容。	理由同特征K。对比文件未公开作为螺旋电感器组成部分的“导电层”，更未公开该导电层具有“非连续螺旋”的形状。
技术特征M：其特征在于，所述导电层包括输入引线、输出引线、或其组合。<br>判断结果：未被公开	未发现相关内容。	理由同特征K、L。对比文件未公开该特定结构特征的导电层。
技术特征N：其特征在于，进一步包括形成在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的钝化层。<br>判断结果：未被公开	未发现相关内容。	对比文件未公开在螺旋电感器的两个导电螺旋之间设置钝化层的技术特征。虽然对比文件提到了介电层（如[0054]段的SiO2），但其作用是作为基板上的绝缘层或用于后续金属化，并非用于隔离螺旋电感器内部的两个导电螺旋。
技术特征O：其特征在于，所述第二导电螺旋通过延伸穿过所述钝化层的一部分的通孔电连接至所述第一导电螺旋。<br>判断结果：未被公开	未发现相关内容。	理由同特征I、N。对比文件未公开具有两个导电螺旋和中间钝化层的螺旋电感器结构，因此也未公开通过钝化层中的通孔连接这两个螺旋的技术特征。
技术特征P：其特征在于，所述最内匝在垂直于所述基板的方向上的厚度从所述最内匝的所述第一部分到所述最内匝的所述第二部分单调递增。<br>判断结果：未被公开	未发现相关内容。	理由同特征C、D、E、H。对比文件未公开螺旋电感器最内匝的厚度变化特征，无论是阶梯式还是单调递增的梯度式。