**对比文件名称:** WO2006066016A2_Description_20260304_2019
**目标专利名称:** 190具有变化厚度的电感器CN105493208B
**本次调用的模型名称:** DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A:包括:基板**<br>《直接公开》 | 对比文件多处提及“基板”或“衬底”(substrate)。例如,在描述系统1318时提到“a substrate 1320 releaseably secured to a rotating carousel 1322”(段落[0114]);在描述压印光刻基本原理时也多次提及基板,例如“a resist layer 13 that is supported upon a substrate 12”(段落[0073])。 | 对比文件明确公开了“基板”(substrate)这一结构,其作为支撑其他层或图案的底层载体,例如支撑光刻胶层或薄膜沉积层。这与目标专利中作为电感器支撑结构的“基板”作用相同。因此,本领域技术人员能够毫无疑义地得出对比文件公开了“基板”这一技术特征。 |
| **技术特征B:以及布置在所述基板上的螺旋电感器,所述螺旋电感器是梯度层堆叠电感器**<br>《未被公开》 | 对比文件公开了在基板上形成环状或螺旋状图案,例如“tracks, such as the tracks 3502, are formed in a polished nano-plate surface 3504”(段落[0181]),这些图案用于数据存储磁道或压印模板。 | 对比文件确实公开了布置在基板上的环状或螺旋状图案(如磁道)。然而,这些图案在对比文件中的作用是作为数据存储介质或压印模板的物理结构,其功能是实现高密度数据存储或图案转移(参见段落[0024], [0209])。而目标专利中的“螺旋电感器”是一种用于在磁场中存储能量的无源电子元件,其功能是提供电感值并减少涡流损耗(参见目标专利段落[0007], [0009])。两者属于完全不同的技术领域,解决不同的技术问题,实现不同的功能。本领域技术人员无法从对比文件公开的“数据存储磁道”毫无疑义地或通过合理推理得出“梯度层堆叠电感器”这一技术特征。 |
| **技术特征C:其中所述螺旋电感器的最内匝的第一部分具有在垂直于所述基板的方向上的第一厚度**<br>《未被公开》 | 对比文件描述了通过沉积形成的薄膜层具有厚度,例如“The deposited film layers 3202 form separate and concentric rings”(段落[0172]),并提及层厚度控制(段落[0186])。 | 对比文件公开了沉积形成的层状结构具有厚度。然而,这些层是同心环或螺旋形磁道的一部分,并非作为“电感器的最内匝”来限定。更重要的是,对比文件完全没有提及或暗示“最内匝的第一部分”这一概念,也没有描述该特定部分在垂直于基板方向上的“第一厚度”。该特征在目标专利中用于限定电感器厚度变化的起始位置(参见说明书段落[0012], [0027])。因此,对比文件既未直接公开也未隐含公开该技术特征。 |
| **技术特征D:,所述最内匝的第二部分具有在垂直于所述基板的方向上的第二厚度**<br>《未被公开》 | 无相应内容。 | 对比文件未涉及“螺旋电感器的最内匝”,更未将其划分为具有不同垂直厚度的“第一部分”和“第二部分”。该特征是目标专利中为了实现厚度梯度变化而进行的特定划分。因此,对比文件未公开该技术特征。 |
| **技术特征E:其中所述第二厚度大于所述第一厚度**<br>《未被公开》 | 无相应内容。 | 对比文件未公开螺旋结构最内匝不同部分厚度之间的比较关系。目标专利中“第二厚度大于第一厚度”是为了实现从内到外厚度递增以减小涡流损耗。对比文件未公开此技术特征。 |
| **技术特征F:所述螺旋电感器的所述最内匝的第三部分具有在垂直于所述基板的方向上的第三厚度**<br>《未被公开》 | 无相应内容。 | 对比文件未公开“最内匝的第三部分”及其厚度。该特征是目标专利权利要求中进一步限定厚度梯度的组成部分。因此,对比文件未公开该技术特征。 |
| **技术特征G:其中所述第三厚度大于所述第一厚度和所述第二厚度**<br>《未被公开》 | 无相应内容。 | 对比文件未公开涉及最内匝三个部分厚度之间的大小比较关系。该特征是目标专利中厚度梯度增大的具体体现。因此,对比文件未公开该技术特征。 |
| **技术特征H:并且所述螺旋电感器在垂直于所述基板的方向上的厚度根据所述最内匝中从所述第一厚度到所述第三厚度的梯度而增大**<br>《未被公开》 | 无相应内容。 | 对比文件未公开任何关于螺旋结构(如图案或磁道)在垂直方向上的厚度沿着其路径(特别是在最内匝内)按照梯度连续增大的技术方案。目标专利的“梯度层堆叠电感器”核心在于此厚度梯度变化以优化性能。对比文件完全没有提及此概念。 |
| **技术特征I:其特征在于:所述螺旋电感器包括第一导电螺旋和第二导电螺旋,其中所述第一导电螺旋覆盖所述第二导电螺旋,所述最内匝的所述第一部分包括所述第二导电螺旋的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋,所述最内匝的所述第三部分包括所述第一导电螺旋的第一端部和所述第二导电螺旋的一部分,并且所述导电螺旋的最外匝的一部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述第一导电螺旋的一部分**<br>《未被公开》 | 对比文件公开了交替沉积不同材料形成多层结构,例如“depositing thin films of two or more materials 3204 and 3206”(段落[0171]),材料可包括导电材料如钨、钼(段落[0174])。这些层可形成环形或螺旋形图案。 | 对比文件公开了多层堆叠结构,其中可能包含导电材料层。然而,这些层在对比文件中的作用是构成压印模板的图案或硬盘盘片的磁道(参见段落[0181], [0202]),并非作为电感器的“导电螺旋”。更重要的是,对比文件完全没有描述这些层之间存在“覆盖”关系,也未将其划分为“第一导电螺旋”和“第二导电螺旋”,更没有详细限定这些螺旋在不同匝(最内匝、最外匝)的具体部分中的包含关系(如“第一部分仅包括第二导电螺旋”、“第三部分包括两者”等)。这些具体结构限定是目标专利实现阶梯状厚度变化的关键。因此,对比文件未公开该技术特征。 |
| **技术特征J:其特征在于,所述第二导电螺旋的第一长度大于所述第一导电螺旋的第二长度**<br>《未被公开》 | 无相应内容。 | 对比文件未公开任何关于两个螺旋状结构长度比较的技术特征。因此,对比文件未公开该技术特征。 |
| **技术特征K:其特征在于,所述螺旋电感器进一步包括在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的导电层,其中所述最内匝的所述第二部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述导电层的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋**<br>《未被公开》 | 对比文件公开了沉积多种材料形成多层结构,可能包含两个以上不同的层。 | 虽然对比文件公开了多层结构,但并未将其中某一层描述为位于两个“导电螺旋”之间的“导电层”,也完全没有将该层与电感器“最内匝的第二部分”关联起来,并限定该部分的具体组成。因此,对比文件未公开该技术特征。 |
| **技术特征L:其特征在于,所述导电层包括非连续螺旋**<br>《未被公开》 | 无相应内容。 | 对比文件未公开“非连续螺旋”结构的导电层。因此,对比文件未公开该技术特征。 |
| **技术特征M:其特征在于,所述导电层包括输入引线、输出引线、或其组合**<br>《未被公开》 | 无相应内容。 | 对比文件未公开任何与电感器输入输出引线相关的内容。因此,对比文件未公开该技术特征。 |
| **技术特征N:其特征在于,进一步包括形成在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的钝化层**<br>《未被公开》 | 无相应内容。 | 对比文件未公开在导电螺旋之间设置“钝化层”的技术特征。因此,对比文件未公开该技术特征。 |
| **技术特征O:其特征在于,所述第二导电螺旋通过延伸穿过所述钝化层的一部分的通孔电连接至所述第一导电螺旋**<br>《未被公开》 | 无相应内容。 | 对比文件未公开通过“通孔”电连接不同导电层的技术特征。因此,对比文件未公开该技术特征。 |
| **技术特征P:其特征在于,所述最内匝在垂直于所述基板的方向上的厚度从所述最内匝的所述第一部分到所述最内匝的所述第二部分单调递增**<br>《未被公开》 | 无相应内容。 | 对比文件未公开关于螺旋结构最内匝厚度“单调递增”的技术特征。因此,对比文件未公开该技术特征。 |
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