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根据目标专利说明书和权利要求，目标专利的核心在于一种具有变化厚度的螺旋电感器，特别是“梯度层堆叠电感器”，其厚度从最内匝到最外匝单调递增，旨在通过减小最内匝的导电体积来降低涡流损耗和电阻。对比文件涉及在介电基板上方集成复制电路和变压器，变压器包含电感器（如第一和第二电感器）。以下将严格按照目标专利权利要求的划分，对各技术特征进行比对。

### 特征比对表格

技术特征描述以及公开性判断结果	对比文件原文引用	公开性论述
技术特征A《直接公开》<br>包括：基板	[0036] “...a dielectric substrate 103 (e.g., a glass-type material, such as a passive-on-glass (POG) substrate).” <br> [0045] “The structure 400 may include a dielectric material as a substrate 403.”	对比文件明确公开了“介电基板”，例如玻璃类材料，这是结构中承载其他元件（如复制电路和变压器）的基础部件。这与目标专利中作为支撑结构的“基板”在作用上相同。因此，本领域技术人员能毫无疑义地得出该技术特征。
技术特征B《未公开》<br>以及布置在所述基板上的螺旋电感器，所述螺旋电感器是梯度层堆叠电感器，	[0037] “...the transformer 102 may include a first inductor structure (e.g., a first inductor 109) disposed above the surface of a dielectric substrate... a second inductor structure (e.g., a second inductor 110) disposed above the dielectric structure and the first inductor structure...” <br> [0064] “...the first inductors 905 and the second inductors 1102...”	对比文件公开了布置在基板上的变压器，该变压器包含电感器（如第一和第二电感器），并且这些电感器可以堆叠布置（如垂直耦合混合变压器）。然而，对比文件从未描述该电感器是“螺旋电感器”，也未描述其是“梯度层堆叠电感器”。目标专利中的“梯度层堆叠电感器”特指其厚度根据梯度（连续或阶梯式）从内匝到外匝增大的结构，其核心目的是优化涡流损耗。对比文件中的变压器电感器用于能量传输和阻抗匹配，其结构、形状（未明确为螺旋）和厚度特性（未提及变化梯度）均未公开目标专利的这一特定技术特征。
技术特征C《未公开》<br>其中所述螺旋电感器的最内匝的第一部分具有在垂直于所述基板的方向上的第一厚度	无对应内容。	对比文件中完全没有提及电感器的“最内匝”概念，也没有描述电感器任何部分在垂直于基板方向上的特定厚度（如“第一厚度”）。目标专利的这一特征是其实现厚度变化设计的基础，对比文件未涉及。
技术特征D《未公开》<br>，所述最内匝的第二部分具有在垂直于所述基板的方向上的第二厚度，	无对应内容。	同上。对比文件未描述电感器匝的任何部分具有不同的厚度。
技术特征E《未公开》<br>其中所述第二厚度大于所述第一厚度，	无对应内容。	对比文件未描述电感器不同部分的厚度关系。目标专利中第二部分厚度大于第一部分，这是实现厚度递增的关键，对比文件未公开。
技术特征F《未公开》<br>所述螺旋电感器的所述最内匝的第三部分具有在垂直于所述基板的方向上的第三厚度，	无对应内容。	对比文件未描述电感器最内匝具有多个不同厚度的部分。
技术特征G《未公开》<br>其中所述第三厚度大于所述第一厚度和所述第二厚度，	无对应内容。	对比文件未描述多个厚度值及其大小关系。
技术特征H《未公开》<br>并且所述螺旋电感器在垂直于所述基板的方向上的厚度根据所述最内匝中从所述第一厚度到所述第三厚度的梯度而增大。	无对应内容。	对比文件完全没有公开电感器的厚度沿着其匝（无论是内匝还是整体）根据梯度而增大的技术思想。目标专利的“梯度增大”是其核心发明点，用于降低电阻，对比文件的变压器电感器没有披露这一设计目标或结构特征。
技术特征I《未公开》<br>其特征在于：所述螺旋电感器包括第一导电螺旋和第二导电螺旋，其中所述第一导电螺旋覆盖所述第二导电螺旋，所述最内匝的所述第一部分包括所述第二导电螺旋的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋，所述最内匝的所述第三部分包括所述第一导电螺旋的第一端部和所述第二导电螺旋的一部分，并且所述导电螺旋的最外匝的一部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述第一导电螺旋的一部分。	[0037] “...a first inductor structure (e.g., a first inductor 109) disposed above the surface of a dielectric substrate... a second inductor structure (e.g., a second inductor 110) disposed above the dielectric structure and the first inductor structure...” <br> [0065] “...the first inductors 905 and the second inductors 1102 are formed as multiple vertical-coupling inductors...”	对比文件公开了变压器可以包含上下堆叠的第一电感器和第二电感器（即第一导电螺旋和第二导电螺旋的等同结构），且第二电感器位于第一电感器之上（即覆盖关系）。然而，对比文件并未将这些电感器描述为具有“最内匝”、“第一部分”、“第三部分”、“最外匝”等概念的“螺旋”形状，更没有披露这些特定部分与上下导电螺旋的包含关系（如“第一部分仅包括第二导电螺旋”）。目标专利的这一系列具体结构限定是为了精确实现其厚度梯度变化，对比文件中的堆叠电感器用于形成变压器的耦合，目的和具体结构布局不同，未公开此特征。
技术特征J《未公开》<br>其特征在于，所述第二导电螺旋的第一长度大于所述第一导电螺旋的第二长度。	无对应内容。	对比文件没有描述上下两个电感器（导电螺旋）的长度关系。虽然附图可能显示上下电感器形状类似，但未明确记载其长度差异，更未将其与电感器不同匝的厚度分布相关联。
技术特征K《未公开》<br>其特征在于，所述螺旋电感器进一步包括在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的导电层，其中所述最内匝的所述第二部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述导电层的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋。	[0050] “A conductive layer 404 may be deposited above the substrate 403 to form the gate region 401 of the TFT of the replica circuit and the metal connectors 402.” <br> [0094] “...a conductive layer 901 is formed above the substrate 403 to form gate electrodes 902 , source electrodes 903 , drain electrodes 904 , and first inductors 905.” <br> [0111] “...a conductive layer 1101 is deposited over the substrate 403 to form second inductors 1102.”	对比文件在制造过程中沉积了多个导电层用于形成TFT的栅极、电极以及电感器。这些导电层在空间上可能位于不同高度。但是，对比文件没有公开在所述第一和第二电感器（导电螺旋）之间还存在一个专门定义的“导电层”，并且该导电层与电感器特定匝的部分（如“最内匝的第二部分”）具有包含关系。目标专利中的“导电层”是其实现阶梯状厚度变化的关键构件，具有特定的形状和作用（如可能形成非连续螺旋），对比文件中的导电层用于形成电路互连或电感器本身，目的和结构关系不同。
技术特征L《未公开》<br>其特征在于，所述导电层包括非连续螺旋。	无对应内容。	对比文件完全没有提及任何导电层具有“非连续螺旋”的形状。
技术特征M《未公开》<br>其特征在于，所述导电层包括输入引线、输出引线、或其组合。	[0038] “As illustrated in FIG. 1, one terminal of the transformer 102 may be coupled to the replica circuit 101 and another terminal of the transformer 102 may be coupled to an antenna 112.”	对比文件公开了变压器具有连接到复制电路和天线的端子（可视为引线）。然而，这些引线是连接到变压器整体，而非专门归属于某个“导电层”。目标专利的特征是将输入/输出引线集成于导电层上，对比文件未公开这一具体关联。
技术特征N《未公开》<br>其特征在于，进一步包括形成在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的钝化层。	[0055] “...a dielectric layer 1001 is deposited above the substrate 403 ... A dielectric layer 1002 may be formed between lower inductors in a vertical-coupling hybrid transformer (VHT) and subsequently formed upper inductors in a VHT.” <br> [0060] “...a passivation layer 1401 may be formed above the substrate 403...”	对比文件公开了在上下电感器之间形成介电层（例如1002）以提供绝缘，以及形成钝化层（1401）。这些层在位置上确实可能位于第一和第二电感器之间或其周围。然而，目标专利的“钝化层”特指形成于两个导电螺旋之间，是其多层结构的一部分。虽然对比文件有绝缘/钝化层的概念，但该层在对比文件中的作用是电气隔离和作为变压器耦合的介质，与目标专利中作为结构组成部分的钝化层在具体技术语境和所解决的技术问题（实现特定厚度堆叠 vs. 提供绝缘和耦合）上并不相同。从宽松的隐含公开标准看，由于对比文件公开了在电感结构之间设置介电层，本领域技术人员有可能推断出在堆叠的导电结构之间设置绝缘/钝化层。但需注意，此判断基于非常宽松的隐含公开标准。然而，考虑到该特征是从属于“梯度层堆叠电感器”这一未被公开的上位概念的，且其具体上下文和目的与对比文件不同，从整体技术方案判断，认为该特征未被对比文件公开。
技术特征O《未公开》<br>其特征在于，所述第二导电螺旋通过延伸穿过所述钝化层的一部分的通孔电连接至所述第一导电螺旋。	[0053] “An anisotropic etch process may be used to create vias (or recesses) 802 in the dielectric layer 801 . The vias (or recesses) 802 may be used to form inductors, gate electrodes, source electrodes, or drain electrodes.” <br> [0099] “...recesses 1202 in the dielectric layer 1201... may be used to connect the second inductors 1102 with other circuitry or devices.”	对比文件公开了在介电层中制造通孔或凹槽以连接不同层的导电结构（如电极、电感器）。这属于半导体制造中的通用技术。然而，对比文件并未明确记载所述通孔是用于将所述第二电感器（第二导电螺旋）电连接至所述第一电感器（第一导电螺旋）。通孔可能用于其他连接目的。此外，该通孔连接的特征同样是从属于未被公开的“梯度层堆叠电感器”及其具体螺旋结构。因此，该特征未被公开。
技术特征P《未公开》<br>其特征在于，所述最内匝在垂直于所述基板的方向上的厚度从所述最内匝的所述第一部分到所述最内匝的所述第二部分单调递增。	无对应内容。	对比文件完全没有描述电感器任何部分的厚度变化，更不用说“最内匝”的厚度“单调递增”。这是目标专利梯度变化设计的直接体现，未被公开。

### 总结

对比文件US2017134007A1公开了技术特征A（基板），但未公开技术特征B至P。目标专利的核心发明点——具有梯度变化厚度的螺旋电感器（特别是梯度层堆叠结构），旨在通过优化最内匝厚度来降低涡流损耗，这一整体构思及其具体实现方式均未在对比文件中被披露或暗示。对比文件关注于集成复制电路和变压器以实现阻抗匹配和TX-RX隔离，其变压器中的电感器结构并未涉及厚度梯度变化的设计。

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