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技术特征描述以及公开性判断结果	对比文件原文引用	公开性论述
技术特征A：包括：基板<br>《直接公开》	说明书第[0010]段：“...a circuit comprising a carrier...”；第[0012]段：“...a circuit integrated to a substrate...”；以及附图6、7的上下文描述。	对比文件公开了“carrier”（载体）和“substrate”（衬底），两者在本领域均指代用于支撑和集成电路的基板。在半导体电路领域，“substrate”是承载和电隔离电路元件的通用基础结构。因此，本领域技术人员能毫无疑义地确定对比文件公开了“基板”这一技术特征。
技术特征B：以及布置在所述基板上的螺旋电感器，所述螺旋电感器是梯度层堆叠电感器，<br>未被公开	说明书第[0050]段：“A microstrip line is a known element of a monolithic semiconductor integrated circuit as such can be used to form a transmission line inductor, and therein form part of a transformer.”；附图6、7及其描述公开了螺旋形状的导体作为变压器的绕组。	对比文件公开了布置在基板（或衬底）上的螺旋形状的导体，其作为电感器或变压器绕组。然而，对比文件中的螺旋导体是作为可切换阻抗变压器的一部分，其核心功能是通过开关改变绕组连接方式以实现阻抗变换（例如，见[0040]-[0042]段），并未描述其为“梯度层堆叠电感器”。目标专利的“梯度层堆叠电感器”特指电感器厚度从内匝到外匝呈梯度（连续或阶梯式）变化的特定结构（见说明书[0012]-[0013]段，图2），旨在降低涡流损耗。对比文件的螺旋绕组未提及厚度变化，也未以实现梯度厚度来优化涡流损耗为目的。因此，该技术特征未被对比文件公开。
技术特征C：其中所述螺旋电感器的最内匝的第一部分具有在垂直于所述基板的方向上的第一厚度<br>未被公开	无相关描述。	对比文件完全没有提及螺旋电感器（或变压器绕组）的“匝”（turn），更没有描述任一匝（特别是最内匝）中某一部分在垂直于基板方向上的厚度。目标专利该特征旨在限定最内匝局部区域的厚度，是构成梯度层叠结构的基础。对比文件未公开此特征。
技术特征D：所述最内匝的第二部分具有在垂直于所述基板的方向上的第二厚度，<br>未被公开	无相关描述。	同上，对比文件未描述螺旋导体任一匝具有不同部分及其厚度。该特征未被公开。
技术特征E：其中所述第二厚度大于所述第一厚度，<br>未被公开	无相关描述。	由于对比文件未公开最内匝不同部分的厚度（特征C、D），因此厚度之间的比较关系（第二厚度大于第一厚度）自然也未被公开。
技术特征F：所述螺旋电感器的所述最内匝的第三部分具有在垂直于所述基板的方向上的第三厚度，<br>未被公开	无相关描述。	对比文件未描述最内匝具有多个不同厚度的部分。该特征未被公开。
技术特征G：其中所述第三厚度大于所述第一厚度和所述第二厚度，<br>未被公开	无相关描述。	由于厚度特征本身未被公开，其间的比较关系也未被公开。
技术特征H：并且所述螺旋电感器在垂直于所述基板的方向上的厚度根据所述最内匝中从所述第一厚度到所述第三厚度的梯度而增大。<br>未被公开	无相关描述。	这是目标专利的核心发明点之一（参见说明书[0012]-[0013]段，图2），即电感器厚度沿最内匝呈梯度变化（单调递增）。对比文件中的螺旋导体作为变压器绕组，其描述集中于绕组数量、连接方式和阻抗变换比，完全没有提及导体厚度在匝内或匝间的任何变化，更未提及为实现特定电学性能（如降低涡流损耗）而设计的梯度厚度。因此，该技术特征未被公开。
技术特征I：其特征在于：所述螺旋电感器包括第一导电螺旋和第二导电螺旋，其中所述第一导电螺旋覆盖所述第二导电螺旋，所述最内匝的所述第一部分包括所述第二导电螺旋的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋，所述最内匝的所述第三部分包括所述第一导电螺旋的第一端部和所述第二导电螺旋的一部分，并且所述导电螺旋的最外匝的一部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述第一导电螺旋的一部分。<br>未被公开	说明书第[0050]段及附图6描述了一个多层变压器结构，具有下层螺旋（610）和上层两个螺旋（620, 630）。	对比文件附图6展示了一个多层结构，包含位于不同层（601， 602）的螺旋导体。这在一定程度上公开了多个导电螺旋堆叠的概念。然而，目标专利的特征I限定了非常具体的结构关系：两个导电螺旋的覆盖关系、以及最内匝不同部分和/或最外匝部分所包含的螺旋层是特定的（例如，第一部分只包含第二螺旋，第三部分包含两个螺旋）。对比文件并未描述螺旋绕组（无论称为初级还是次级）的“匝”（turn），也未描述特定匝（如最内匝）的不同部分由不同螺旋层构成，更没有公开这种特定层叠结构与厚度梯度变化（特征H）的关联。对比文件多层结构的目的在于形成变压器绕组间的磁耦合以实现阻抗变换，而非构成一个具有特定厚度分布的单体电感器。因此，该具体结构特征未被公开。
技术特征J：其特征在于，所述第二导电螺旋的第一长度大于所述第一导电螺旋的第二长度。<br>未被公开	无相关描述。	对比文件未对其中任何螺旋导体的“长度”进行比较或描述。附图6中的螺旋可能看起来长度不同，但说明书文字部分并未将其作为技术特征进行描述或限定。因此，本领域技术人员不能从对比文件毫无疑义地得出或推断出该特定的长度关系。
技术特征K：其特征在于，所述螺旋电感器进一步包括在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的导电层，其中所述最内匝的所述第二部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述导电层的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋。<br>未被公开	无相关描述。	对比文件没有描述在两层螺旋导体之间存在一个作为“导电层”的额外层，更没有描述该导电层与最内匝特定部分的结构关系。目标专利中的导电层是构成阶梯或梯度厚度的一部分（参见说明书图1及[0025]-[0027]段）。该特征未被公开。
技术特征L：其特征在于，所述导电层包括非连续螺旋。<br>未被公开	无相关描述。	对比文件未提及任何“导电层”，更未描述其形状为非连续螺旋。该特征未被公开。
技术特征M：其特征在于，所述导电层包括输入引线、输出引线、或其组合。<br>未被公开	说明书多处提到输入端口（input port）和输出端口（output port），例如[0010], [0012], [0024]段。	对比文件确实公开了电路的输入和输出端口（引线）。然而，这些端口是连接到变压器/电感器端点的独立结构，目标专利的特征M限定的是“导电层”本身“包括”输入/输出引线，意味着引线是导电层的一部分或延伸（可能如说明书[0025]段所述，导电层形成部分螺旋并连接至引线）。对比文件并未将输入/输出端口描述为某个中间导电层的一部分。因此，该具体限定未被公开。
技术特征N：其特征在于，进一步包括形成在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的钝化层。<br>未被公开	说明书第[0050]段提及附图6的结构具有“an intermediate dielectric layer”。	对比文件公开了层间的“电介质层”（dielectric layer），其作用通常是电气隔离。目标专利的“钝化层”通常也由介电材料制成，用于保护和隔离。从广义的层间绝缘作用看，对比文件可能隐含了在多层螺旋结构间存在绝缘层。然而，即使认为“电介质层”可视为“钝化层”，对比文件也仅公开了存在这样一个层，并未公开该层“形成在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间”这一具体位置关系，因为对比文件并未明确其多层螺旋中哪一层对应于目标专利的“第一”和“第二”导电螺旋。更重要的是，该钝化层在目标专利中是构成特定层叠结构以实现厚度变化的一部分，而在对比文件中仅是常规的层间隔离。因此，该特征未被直接公开。从隐含公开的宽松标准判断，对比文件公开了多层螺旋结构间有电介质层，本领域技术人员知晓制造此类结构通常需要绝缘层，因此有可能推断出在螺旋层之间存在绝缘/钝化层。但鉴于该特征与目标专利中具体限定的层间关系不完全对应，且作用语境不同，此处仍判断为未被公开更为严谨。
技术特征O：其特征在于，所述第二导电螺旋通过延伸穿过所述钝化层的一部分的通孔电连接至所述第一导电螺旋。<br>未被公开	说明书第[0050]段描述附图6中的结构“exploit semiconductor via designs for interconnecting the spiral sections”。	对比文件公开了使用“通孔”（via）来互连螺旋段（spiral sections）。这公开了通过垂直互联结构连接不同层导体的概念。然而，该通孔在对比文件中用于连接同一螺旋绕组的不同段以形成连续螺旋（如附图6中上层螺旋620, 630的互连），其目的是构成一个完整的绕组，而非专门用于将“第二导电螺旋”电连接至“第一导电螺旋”。目标专利的特征O限定了通孔连接两个特定的、覆盖关系的导电螺旋。两者作用不同：对比文件是绕组内部互联，目标专利可能是层间互联以形成电学上的并联或串联。因此，该具体的技术方案未被公开。
技术特征P：其特征在于，所述最内匝在垂直于所述基板的方向上的厚度从所述最内匝的所述第一部分到所述最内匝的所述第二部分单调递增。<br>未被公开	无相关描述。	该特征本质上是特征H（梯度增大）的具体表现或子集。由于对比文件完全没有描述螺旋导体厚度的任何变化，因此“厚度单调递增”这一特征也未被公开。