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技术特征描述及公开性判断结果	对比文件原文引用	公开性论述
技术特征A：包括基板	第[0060]段：“A semiconductor substrate 1 of a semiconductor chip having a flash memory of this Embodiment 1 formed thereover is made of, for example, p type single crystal silicon.”（其上形成有本实施例1的闪存的半导体芯片的半导体衬底1由例如p型单晶硅制成。）	对比文件明确公开了半导体器件包括一个基板（半导体衬底1）。该基板用于在其上形成各种器件结构，这与目标专利中用于支撑和耦合螺旋电感器的基板所起的物理支撑作用相同。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地得出对比文件公开了“包括基板”这一技术特征。该技术特征被《直接公开》。
技术特征B：以及布置在所述基板上的螺旋电感器，所述螺旋电感器是梯度层堆叠电感器，	未找到相关描述。	对比文件涉及半导体存储器（AG-AND闪存）的制造，其核心结构包括辅助栅电极（10a）、控制栅电极（16）和浮置栅电极（5a），用于存储电荷。整个说明书中没有任何关于“螺旋电感器”、“梯度层堆叠电感器”或任何具有螺旋形状用于存储磁能的器件的描述或暗示。目标专利的螺旋电感器是用于提供电感、减少涡流损耗的无源元件，其功能、结构与应用场景与对比文件中的有源半导体存储单元完全不同。因此，对比文件既未直接公开也未隐含公开该技术特征。
技术特征C：其中所述螺旋电感器的最内匝的第一部分具有在垂直于所述基板的方向上的第一厚度	未找到相关描述。	由于对比文件未公开任何螺旋电感器结构（参见特征B的论述），因此自然不存在螺旋电感器的“最内匝”或其“第一部分”的厚度概念。该技术特征未被公开。
技术特征D：，所述最内匝的第二部分具有在垂直于所述基板的方向上的第二厚度，	未找到相关描述。	同上，对比文件未公开螺旋电感器及其最内匝，因此不存在其“第二部分”的厚度概念。该技术特征未被公开。
技术特征E：其中所述第二厚度大于所述第一厚度，	未找到相关描述。	同上，对比文件未公开螺旋电感器最内匝不同部分的厚度，更未公开这些厚度之间的大小关系。该技术特征未被公开。
技术特征F：所述螺旋电感器的所述最内匝的第三部分具有在垂直于所述基板的方向上的第三厚度，	未找到相关描述。	同上，对比文件未公开螺旋电感器及其最内匝的“第三部分”的厚度。该技术特征未被公开。
技术特征G：其中所述第三厚度大于所述第一厚度和所述第二厚度，	未找到相关描述。	同上，对比文件未公开螺旋电感器最内匝不同部分的厚度及其比较关系。该技术特征未被公开。
技术特征H：并且所述螺旋电感器在垂直于所述基板的方向上的厚度根据所述最内匝中从所述第一厚度到所述第三厚度的梯度而增大。	未找到相关描述。	对比文件未公开任何器件在垂直于基板方向上的厚度沿着其结构（如螺旋的一匝）呈现梯度变化。虽然对比文件中的浮置栅电极（5a）等结构具有厚度，但这些厚度是均匀的，并且其形成是为了实现电荷存储功能，而非为了在螺旋路径上形成梯度以减少涡流损耗。因此，该技术特征既未被直接公开，也无法从对比文件的内容中合理推断出来。
技术特征I：其特征在于：所述螺旋电感器包括第一导电螺旋和第二导电螺旋，其中所述第一导电螺旋覆盖所述第二导电螺旋，所述最内匝的所述第一部分包括所述第二导电螺旋的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋，所述最内匝的所述第三部分包括所述第一导电螺旋的第一端部和所述第二导电螺旋的一部分，并且所述导电螺旋的最外匝的一部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述第一导电螺旋的一部分。	未找到相关描述。	对比文件未公开任何“导电螺旋”结构。其公开的导电结构（如辅助栅电极10a、控制栅电极16、浮置栅电极5a）均为直线状或块状的栅电极，用于形成晶体管或存储单元，不具备螺旋形状，也不存在一个螺旋覆盖另一个螺旋的层叠关系。因此，该技术特征未被公开。
技术特征J：其特征在于，所述第二导电螺旋的第一长度大于所述第一导电螺旋的第二长度。	未找到相关描述。	由于对比文件未公开任何“第一导电螺旋”和“第二导电螺旋”（参见特征I的论述），因此不存在它们长度关系的描述。该技术特征未被公开。
技术特征K：其特征在于，所述螺旋电感器进一步包括在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的导电层，其中所述最内匝的所述第二部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述导电层的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋。	未找到相关描述。	对比文件未公开螺旋电感器，也未公开位于两个螺旋之间的导电层。其公开的层状结构（如绝缘膜4、7、9a、12等）均为绝缘层，用于电隔离，而非用于构成螺旋电感器导电路径一部分的“导电层”。因此，该技术特征未被公开。
技术特征L：其特征在于，所述导电层包括非连续螺旋。	未找到相关描述。	同上，对比文件未公开任何“导电层”具有螺旋形状，更不用说“非连续螺旋”。该技术特征未被公开。
技术特征M：其特征在于，所述导电层包括输入引线、输出引线、或其组合。	未找到相关描述。	对比文件未公开构成螺旋电感器一部分的“导电层”。其公开的引线或互连（如第一层互连M1）是用于连接半导体器件中不同部件的外部连接，并非集成在螺旋电感器内部作为其一部分的输入/输出引线。因此，该技术特征未被公开。
技术特征N：其特征在于，进一步包括形成在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的钝化层。	未找到相关描述。	对比文件虽然公开了各种绝缘层（如第[0080]段的侧壁8由绝缘材料形成），但这些绝缘层位于半导体存储器的不同电极之间（如浮置栅电极与辅助栅电极之间），其作用是电隔离，且位于完全不同的器件结构中。由于对比文件未公开第一和第二导电螺旋，因此不存在位于它们之间的“钝化层”。该技术特征未被公开。
技术特征O：其特征在于，所述第二导电螺旋通过延伸穿过所述钝化层的一部分的通孔电连接至所述第一导电螺旋。	未找到相关描述。	对比文件公开了通孔（如接触孔C1，第[0096]段）和插塞（plug 23，第[0097]段）用于连接不同层级的互连。然而，这些连接发生在存储器阵列和外围电路的互连系统中，并非用于连接两个螺旋导电层。由于对比文件未公开所述的两个导电螺旋及它们之间的钝化层，因此该通过通孔连接螺旋的技术特征未被公开。
技术特征P：其特征在于，所述最内匝在垂直于所述基板的方向上的厚度从所述最内匝的所述第一部分到所述最内匝的所述第二部分单调递增。	未找到相关描述。	对比文件未公开任何器件的某一部分（如螺旋的一匝）在特定方向上的厚度呈现单调递增的变化。该技术特征未被公开。