对比文件名称:US8493126B2_Description_20260219_0538
目标专利名称:190具有变化厚度的电感器CN105493208B
模型名称:本次调用未指定模型名称
## 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A:包括:基板**<br>**《隐含公开》** | 对比文件说明书[0037]段记载:“The balun is realized principally in one layer of metallization on integrated circuit 53.”(该巴伦主要实现在集成电路53的一个金属化层上。) | 在对比文件中,巴伦(作为电感/变压器结构)被制造在集成电路上。本领域技术人员公知,集成电路必然包含一个基板(如硅基板),其上的金属化层是形成在基板之上的。因此,尽管对比文件未明确写出“基板”二字,但根据其描述的“在集成电路上实现金属化层”这一技术背景,本领域技术人员能够毫无疑义地理解并推断出该结构必然包含一个支撑性的基板。该基板在对比文件中起到支撑和承载金属化绕组的作用,与目标专利中基板作为电感器载体的作用相同。因此,该技术特征被对比文件**隐含公开**。 |
| **技术特征B:以及布置在所述基板上的螺旋电感器,所述螺旋电感器是梯度层堆叠电感器,**<br>**《未公开》** | 对比文件说明书[0037]段记载:“The balun is realized principally in one layer of metallization on integrated circuit 53. Conductor crossovers in the balun are realized using inter-metal layer vias (not shown) and short bridging lengths of metal (not shown) in a second layer of metallization.”(该巴伦主要实现在集成电路53的一个金属化层上。巴伦中的导体交叉使用金属层间通孔(未示出)和第二金属化层中的短桥接金属长度(未示出)来实现。) | 对比文件公开的巴伦(可视为一种电感器)具有绕组(如初级绕组98、次级绕组99、100),其布局(如图10所示)是螺旋形状,因此可以认为是“螺旋电感器”。然而,目标专利明确限定该螺旋电感器是“梯度层堆叠电感器”,其核心特征在于电感器在垂直于基板方向上的厚度是梯度变化的(见说明书[0013]、[0025]段)。对比文件仅描述了绕组在平面上(平行于基板)的螺旋布局,以及为了实现交叉而使用了另一金属层进行短距离桥接,但完全没有描述或暗示该电感器结构在垂直方向(厚度方向)上存在连续的、从内到外递增的“梯度层堆叠”结构或厚度变化。对比文件的巴伦本质上是平面螺旋结构,其厚度是均匀的(由工艺决定),并非目标专利所保护的具有特定厚度变化梯度的层堆叠结构。因此,该技术特征未被公开。 |
| **技术特征C:其中所述螺旋电感器的最内匝的第一部分具有在垂直于所述基板的方向上的第一厚度**<br>**《未公开》** | 对比文件未记载关于电感器绕组匝的厚度,特别是最内匝具有不同厚度部分的内容。 | 目标专利的技术方案核心之一是电感器厚度在径向上变化。特征C限定了最内匝存在一个具有特定厚度(第一厚度)的部分。对比文件完全没有描述其巴伦绕组在垂直方向(厚度方向)上存在变化,更没有区分最内匝的不同部分并赋予其不同的厚度。本领域技术人员无法从对比文件中得出或推断出这一技术特征。因此,该技术特征未被公开。 |
| **技术特征D:,所述最内匝的第二部分具有在垂直于所述基板的方向上的第二厚度,**<br>**《未公开》** | 对比文件未记载关于电感器绕组匝的厚度,特别是最内匝具有不同厚度部分的内容。 | 同上,对比文件未公开任何关于绕组厚度变化的信息,更未公开最内匝具有多个不同厚度的部分。因此,该技术特征未被公开。 |
| **技术特征E:其中所述第二厚度大于所述第一厚度,**<br>**《未公开》** | 对比文件未记载关于电感器不同部分厚度大小的比较。 | 对比文件未公开绕组厚度变化,因此自然不存在不同厚度之间的大小比较关系。因此,该技术特征未被公开。 |
| **技术特征F:所述螺旋电感器的所述最内匝的第三部分具有在垂直于所述基板的方向上的第三厚度,**<br>**《未公开》** | 对比文件未记载关于电感器绕组匝的厚度,特别是最内匝具有不同厚度部分的内容。 | 同上,对比文件未公开最内匝具有多个厚度不同的部分。因此,该技术特征未被公开。 |
| **技术特征G:其中所述第三厚度大于所述第一厚度和所述第二厚度,**<br>**《未公开》** | 对比文件未记载关于电感器不同部分厚度大小的比较。 | 对比文件未公开绕组厚度变化及比较关系。因此,该技术特征未被公开。 |
| **技术特征H:并且所述螺旋电感器在垂直于所述基板的方向上的厚度根据所述最内匝中从所述第一厚度到所述第三厚度的梯度而增大。**<br>**《未公开》** | 对比文件未记载关于电感器厚度梯度变化的内容。 | 这是目标专利的核心发明点之一(梯度层堆叠)。对比文件中的巴伦绕组是平面结构,其厚度是工艺决定的均匀值,不存在在径向上(尤其在最内匝内)按照梯度连续变化的厚度设计。因此,该技术特征未被公开。 |
| **技术特征I:其特征在于:所述螺旋电感器包括第一导电螺旋和第二导电螺旋,其中所述第一导电螺旋覆盖所述第二导电螺旋,所述最内匝的所述第一部分包括所述第二导电螺旋的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋,所述最内匝的所述第三部分包括所述第一导电螺旋的第一端部和所述第二导电螺旋的一部分,并且所述导电螺旋的最外匝的一部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述第一导电螺旋的一部分。**<br>**《未公开》** | 对比文件说明书[0037]段描述了使用两个金属化层来实现导体交叉,但未描述存在两个完整的、相互覆盖的导电螺旋,也未描述最内匝不同部分由不同螺旋构成。图10的布局图显示绕组是连续的螺旋线,通过跨接实现交叉,而非两个独立的层堆叠螺旋。 | 目标专利特征I描述了实现厚度变化的一种具体阶梯层堆叠结构,涉及两个导电螺旋的层叠和覆盖关系,以及它们在电感器不同区域(最内匝的不同部分、最外匝)的分布。对比文件的巴伦虽然使用了两个金属层,但其作用仅限于在交叉点进行“桥接”(“short bridging lengths”),以完成平面螺旋导线的走线,并非形成两个完整的、在垂直方向上堆叠并覆盖以改变整体厚度的“导电螺旋”。对比文件没有公开两个螺旋的覆盖关系,更没有公开最内匝第一部分仅包含下层螺旋、第三部分包含上下两层螺旋这样的具体分布。因此,该技术特征未被公开。 |
| **技术特征J:其特征在于,所述第二导电螺旋的第一长度大于所述第一导电螺旋的第二长度。**<br>**《未公开》** | 对比文件未记载关于两个导电螺旋长度关系的内容。 | 特征J是特征I中具体结构的进一步限定。由于对比文件未公开特征I所述的两个覆盖的导电螺旋结构,因此更不可能公开这两个螺旋的长度关系。因此,该技术特征未被公开。 |
| **技术特征K:其特征在于,所述螺旋电感器进一步包括在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的导电层,其中所述最内匝的所述第二部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述导电层的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋。**<br>**《未公开》** | 对比文件未记载在绕组之间存在额外的导电层。 | 特征K引入了位于两个导电螺旋之间的“导电层”,这是实现更复杂厚度阶梯结构(如三层)的要素。对比文件的巴伦结构中没有描述这样的中间导电层。其用于桥接的第二金属层并非一个完整的、介于两个螺旋之间的“导电层”。因此,该技术特征未被公开。 |
| **技术特征L:其特征在于,所述导电层包括非连续螺旋。**<br>**《未公开》** | 对比文件未记载关于非连续螺旋导电层的内容。 | 特征L是对特征K中导电层形态的限定。由于对比文件未公开特征K中的导电层,因此该限定特征自然也未被公开。 |
| **技术特征M:其特征在于,所述导电层包括输入引线、输出引线、或其组合。**<br>**《未公开》** | 对比文件未记载导电层包含引线。 | 特征M是对特征K中导电层功能的进一步限定。由于对比文件未公开该导电层,因此该特征未被公开。 |
| **技术特征N:其特征在于,进一步包括形成在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的钝化层。**<br>**《未公开》** | 对比文件未记载在绕组层之间存在钝化层。 | 目标专利的钝化层用于绝缘和隔离不同的导电层。对比文件在描述金属层间桥接时,未提及存在钝化层。在集成电路制造中,金属层间通常有绝缘层(如ILD),但对比文件未明确描述该层,也未将其称为“钝化层”或赋予其在该发明中的特定作用。因此,不能认为该技术特征被公开。 |
| **技术特征O:其特征在于,所述第二导电螺旋通过延伸穿过所述钝化层的一部分的通孔电连接至所述第一导电螺旋。**<br>**《未公开》** | 对比文件说明书[0037]段提到使用“inter-metal layer vias”(金属层间通孔)来实现导体交叉。 | 对比文件确实提到了通孔,但其作用是连接同一层螺旋导线的不同线段以实现平面内的交叉连接(如图10布局中的交叉点),而非用于垂直连接两个覆盖的、用于改变厚度的导电螺旋以形成电连接。其目的、位置和所连接的对象均与目标专利特征O中“通过钝化层中的通孔连接两个导电螺旋”不同。因此,该技术特征未被公开。 |
| **技术特征P:其特征在于,所述最内匝在垂直于所述基板的方向上的厚度从所述最内匝的所述第一部分到所述最内匝的所述第二部分单调递增。**<br>**《未公开》** | 对比文件未记载关于电感器绕组匝厚度单调变化的内容。 | 特征P限定了最内匝自身厚度变化的趋势(单调递增),这是梯度层堆叠的体现。对比文件完全没有涉及任何关于绕组厚度变化的信息,因此该技术特征未被公开。 |
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