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技术特征描述以及公开性判断结果	对比文件原文引用	公开性论述
技术特征A：包括：基板<br>《直接公开》	“there is first provided a substrate.” (SUMMARY OF THE INVENTION 部分)；以及 “Shown in FIG. 1 is a substrate 10...” (DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS 部分)	对比文件明确公开了其方法首先提供一个基底（substrate），并且在图1和图2中均示出了基底10。这是形成电感器结构的基础部件，其作用与目标专利中作为电感器支撑载体的“基板”相同。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地确定对比文件公开了“基板”这一技术特征。
技术特征B：以及布置在所述基板上的螺旋电感器，所述螺旋电感器是梯度层堆叠电感器，<br>未被公开	“There is then formed over the substrate a planar spiral conductor layer to form a planar spiral inductor...” (SUMMARY OF THE INVENTION 部分)；以及 “...the spirally patterned conductor layer 12 forms a planar spiral inductor structure...” (DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS 部分)	对比文件公开了在基底上形成平面螺旋导体层以构成平面螺旋电感器，即公开了“布置在基板上的螺旋电感器”。然而，对比文件的核心在于通过改变螺旋的线宽（linewidth）和/或间距（spacing）来优化性能，其电感器是单层导体图案形成的螺旋结构（参见图1和图2的12a, 12b等，它们是同一导体层在不同位置的部分）。目标专利的“梯度层堆叠电感器”特指通过堆叠多层导电层（如第一导电螺旋、第二导电螺旋、导电层）并在垂直基板方向上形成厚度梯度的结构。对比文件完全没有提及任何“层堆叠”结构，也未描述垂直方向的厚度梯度。二者在实现电感器变化的结构原理上完全不同。因此，对比文件没有公开“螺旋电感器是梯度层堆叠电感器”这一限定。
技术特征C：其中所述螺旋电感器的最内匝的第一部分具有在垂直于所述基板的方向上的第一厚度<br>未被公开	“a most narrow linewidth LW1 of from about 7 to about 10 microns for an innermost spiral...” (DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS 部分)	对比文件公开了最内层螺旋具有最窄的线宽LW1。然而，线宽（linewidth）是平行于基板平面的尺寸，而目标专利的“厚度”明确限定为“在垂直于所述基板的方向上”。对比文件未描述其螺旋导体层在垂直方向上的厚度变化，其附图2所示的各螺旋部分（12a, 12b等）厚度看起来是均匀的。因此，对比文件没有公开“在垂直于基板方向上的第一厚度”这一技术特征。
技术特征D：，所述最内匝的第二部分具有在垂直于所述基板的方向上的第二厚度，<br>未被公开	“a less narrow linewidth LW2 of from about 10 to about 13 microns for a more inner interior spiral...” (DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS 部分)	对比文件公开了更靠内的内部螺旋具有较窄的线宽LW2。同样，这是线宽而非垂直方向的厚度。因此，对比文件没有公开目标专利中定义的“在垂直于基板方向上的第二厚度”。
技术特征E：其中所述第二厚度大于所述第一厚度，<br>未被公开	线宽LW2的数值范围（10-13微米）大于LW1的数值范围（7-10微米）。	对比文件公开了LW2 > LW1。但如前述，这是线宽大小的比较，并非目标专利所要求的垂直方向厚度的比较。由于对比文件未公开“第一厚度”和“第二厚度”，因此也无法公开二者之间的大小关系。
技术特征F：所述螺旋电感器的所述最内匝的第三部分具有在垂直于所述基板的方向上的第三厚度，<br>未被公开	“a still less narrow linewidth LW3 of from about 13 to about 17 microns for a more outer interior spiral...” (DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS 部分)	对比文件公开了更靠外的内部螺旋具有仍较窄的线宽LW3。这仍然是线宽，而非垂直方向的厚度。因此，对比文件没有公开该技术特征。
技术特征G：其中所述第三厚度大于所述第一厚度和所述第二厚度，<br>未被公开	线宽LW3的数值范围（13-17微米）大于LW1（7-10微米）和LW2（10-13微米）的数值范围。	对比文件公开了LW3 > LW2 > LW1。但这是线宽关系的比较。由于对比文件未公开“第一厚度”、“第二厚度”和“第三厚度”，因此该厚度关系未被公开。
技术特征H：并且所述螺旋电感器在垂直于所述基板的方向上的厚度根据所述最内匝中从所述第一厚度到所述第三厚度的梯度而增大。<br>未被公开	“a linewidth of each of the spirals... becomes progressively wider as the series of spirals progress from the innermost spiral to the outermost spiral.” (DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS 部分)	对比文件公开了螺旋的线宽从最内到最外逐渐变宽（progressively wider），这是一种变化。但目标专利要求的是“在垂直于基板的方向上的厚度”根据“梯度”增大。对比文件描述的变化是线宽（水平尺寸）的“逐渐”变化，而非垂直方向的“厚度梯度”变化。更重要的是，目标专利的“梯度增大”是基于层堆叠结构实现的（参见说明书梯度层堆叠电感器的描述），而对比文件是单层导体的线宽变化。两者技术手段不同。因此，对比文件没有公开该技术特征。
技术特征I：其特征在于：所述螺旋电感器包括第一导电螺旋和第二导电螺旋，其中所述第一导电螺旋覆盖所述第二导电螺旋，所述最内匝的所述第一部分包括所述第二导电螺旋的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋，所述最内匝的所述第三部分包括所述第一导电螺旋的第一端部和所述第二导电螺旋的一部分，并且所述导电螺旋的最外匝的一部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述第一导电螺旋的一部分。<br>未被公开	对比文件仅描述了单一的“spirally patterned conductor layer 12”及其部分（12a, 12b等）。未提及任何“第一导电螺旋”和“第二导电螺旋”的堆叠结构，也未描述覆盖关系及各部分的具体组成。	目标专利该特征详细限定了螺旋电感器为多层导电螺旋堆叠的具体结构，以及不同匝中这些螺旋的包含关系。对比文件公开的是单层平面螺旋导体图案，其不同线宽部分（12a, 12b, 12c, 12d...）属于同一导体层，并非堆叠的不同导电螺旋。因此，对比文件完全没有公开该复杂结构特征。
技术特征J：其特征在于，所述第二导电螺旋的第一长度大于所述第一导电螺旋的第二长度。<br>未被公开	对比文件未描述任何“第一导电螺旋”和“第二导电螺旋”，因此也不可能公开它们长度的比较关系。	该特征是建立在技术特征I的多层螺旋堆叠结构基础上的进一步限定。由于对比文件未公开技术特征I，因此该从属特征自然也未被公开。
技术特征K：其特征在于，所述螺旋电感器进一步包括在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的导电层，其中所述最内匝的所述第二部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述导电层的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋。<br>未被公开	对比文件未公开任何位于不同螺旋之间的“导电层”，也未描述最内匝特定部分由不同层材料组成。	该特征进一步引入了“导电层”以及更精细的各层在各匝的分布关系。对比文件的单层导体结构完全无法对应或隐含此复杂层状构成。
技术特征L：其特征在于，所述导电层包括非连续螺旋。<br>未被公开	对比文件未公开“导电层”，更未提及该层是否为“非连续螺旋”。	该特征是对导电层形态的限定。由于对比文件未公开“导电层”，该特征未被公开。
技术特征M：其特征在于，所述导电层包括输入引线、输出引线、或其组合。<br>未被公开	对比文件未公开“导电层”具有引线功能。	该特征是对导电层功能的限定。由于对比文件未公开“导电层”，该特征未被公开。
技术特征N：其特征在于，进一步包括形成在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的钝化层。<br>未被公开	对比文件全文未提及“钝化层（passivation layer）”。	该特征限定了多层螺旋结构之间的绝缘层。对比文件未公开任何此类层结构。
技术特征O：其特征在于，所述第二导电螺旋通过延伸穿过所述钝化层的一部分的通孔电连接至所述第一导电螺旋。<br>未被公开	对比文件未公开“钝化层”和“通孔（via）”的电连接结构。	该特征限定了堆叠螺旋之间的互连方式。对比文件未公开此类结构。
技术特征P：其特征在于，所述最内匝在垂直于所述基板的方向上的厚度从所述最内匝的所述第一部分到所述最内匝的所述第二部分单调递增。<br>未被公开	对比文件描述了线宽从内到外单调递增，但未描述任何部分在“垂直于基板方向上的厚度”的单调递增。	该特征是对最内匝垂直方向厚度变化趋势的限定。对比文件关注的是水平线宽变化，其单层导体的垂直厚度是均匀的（如约20000埃），不存在如目标专利所述的由层堆叠导致的厚度变化。因此，该特征未被公开。

### 结论

根据以上分析，对比文件US7370403B1仅直接公开了目标专利权利要求中的技术特征A（基板）。其余技术特征B至P均未被对比文件直接公开或隐含公开。对比文件的核心在于通过调整单层平面螺旋导体的线宽和间距来优化电感器Q值，而目标专利的核心在于通过多层导电层/螺旋在垂直基板方向上的堆叠和梯度厚度变化来减少涡流损耗。两者采用的技术手段和解决技术问题的侧重点不同。

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