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技术特征描述及公开性判断	对比文件原文引用	公开性论述
A. 包括：基板<br>《直接公开》	说明书[0016]段：“a relatively thick glass substrate 30”。	对比文件明确公开了“玻璃基板30”（glass substrate 30），其作为制造通孔（through glass vias）的载体和支撑结构。在电子器件制造领域，基板是承载和支撑其他元件（如互连结构、器件）的常见基础部件。本领域技术人员能够毫无疑义地认识到，对比文件中的“基板”与目标专利中的“基板”均起到承载和支撑的作用，属于相同的技术特征。因此，技术特征A被对比文件直接公开。
B. 以及布置在所述基板上的螺旋电感器，所述螺旋电感器是梯度层堆叠电感器<br>《未公开》	对比文件全文中未提及“电感器”、“螺旋”、“层堆叠”或“梯度”等相关结构或概念。	对比文件涉及在玻璃基板中制造通孔（through glass vias）的工艺，其核心内容是蚀刻、钝化等步骤以形成垂直互连结构。通孔（via）是一种用于垂直电连接的导电通道，其功能与用于存储磁能的螺旋电感器完全不同。对比文件从头至尾没有描述任何电感器结构，更没有提及“螺旋电感器”或“梯度层堆叠电感器”。因此，技术特征B未被对比文件公开。
C. 其中所述螺旋电感器的最内匝的第一部分具有在垂直于所述基板的方向上的第一厚度<br>《未公开》	对比文件全文中未提及“电感器”、“匝”（turn）、“最内匝”或任何描述导体在平面内螺旋绕制并具有不同厚度部分的结构。	技术特征C定义了螺旋电感器最内匝的一个具体部分及其厚度。对比文件仅描述了通孔的制造过程，通孔是贯穿基板的垂直孔洞，其“深度”概念不同于平面螺旋导体的“厚度”。对比文件未公开任何具有“匝”结构的元件，因此无法公开“最内匝的第一部分具有第一厚度”这一特征。
D. ，所述最内匝的第二部分具有在垂直于所述基板的方向上的第二厚度<br>《未公开》	对比文件全文中未提及“电感器”、“匝”或描述同一导体不同部分具有不同厚度的结构。	同特征C，对比文件未公开任何具有“匝”结构的元件，更不可能公开同一匝内不同部分具有不同厚度。因此，技术特征D未被公开。
E. ，其中所述第二厚度大于所述第一厚度<br>《未公开》	对比文件全文中未涉及对同一平面导体内不同部分的厚度进行比较的描述。	技术特征E限定了同一匝内两个部分的厚度关系。由于对比文件未公开特征C和D所述的“第一部分”和“第二部分”及其厚度，自然也无法公开两者之间的厚度大小关系。
F. ，所述螺旋电感器的所述最内匝的第三部分具有在垂直于所述基板的方向上的第三厚度<br>《未公开》	对比文件全文中未提及“电感器”、“匝”或“第三部分”。	同特征C、D，对比文件未公开任何具有“匝”结构的元件及其不同部分。因此，技术特征F未被公开。
G. ，其中所述第三厚度大于所述第一厚度和所述第二厚度<br>《未公开》	对比文件全文中未涉及对同一导体内三个部分的厚度进行比较的描述。	技术特征G限定了同一匝内三个部分的厚度关系。由于对比文件未公开特征C、D、F所述的“第一部分”、“第二部分”和“第三部分”及其厚度，因此无法公开它们之间的厚度大小关系。
H. ，并且所述螺旋电感器在垂直于所述基板的方向上的厚度根据所述最内匝中从所述第一厚度到所述第三厚度的梯度而增大<br>《未公开》	对比文件全文中未提及“螺旋电感器”、“最内匝”或厚度的“梯度”变化。	技术特征H定义了螺旋电感器最内匝厚度连续变化的特定方式（梯度增大）。对比文件描述的通孔制造过程（多次蚀刻-钝化循环）会导致通孔侧壁呈扇贝状（scalloped），这是深度方向上的不连续台阶，并非平面导体在横向上的厚度梯度变化。两者在结构、形成原理和技术效果上均无关联。因此，该特征未被公开。
I. 其特征在于：所述螺旋电感器包括第一导电螺旋和第二导电螺旋，其中所述第一导电螺旋覆盖所述第二导电螺旋，所述最内匝的所述第一部分包括所述第二导电螺旋的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋，所述最内匝的所述第三部分包括所述第一导电螺旋的第一端部和所述第二导电螺旋的一部分，并且所述导电螺旋的最外匝的一部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述第一导电螺旋的一部分<br>《未公开》	对比文件全文中未提及“螺旋电感器”、“第一导电螺旋”、“第二导电螺旋”、“覆盖”、“最内匝”、“最外匝”等描述多层螺旋导体堆叠及其覆盖关系的结构。	技术特征I详细限定了梯度层堆叠电感器的具体层状结构，包括两个导电螺旋的覆盖关系以及它们在不同匝部分的分布。对比文件仅涉及单一材料的通孔制造，通孔可能被导电材料填充以形成垂直互连，但这与平面上螺旋绕制、多层堆叠且部分覆盖的导电螺旋结构在形态、功能和制造方法上均完全不同。因此，该特征未被公开。
J. 其特征在于，所述第二导电螺旋的第一长度大于所述第一导电螺旋的第二长度<br>《未公开》	对比文件全文中未提及“第一导电螺旋”、“第二导电螺旋”或比较它们长度的内容。	技术特征J限定了两个螺旋导体的长度关系。由于对比文件未公开任何“导电螺旋”结构，因此无法公开它们之间的长度关系。
K. 其特征在于，所述螺旋电感器进一步包括在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的导电层，其中所述最内匝的所述第二部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述导电层的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋<br>《未公开》	对比文件全文中未提及“螺旋电感器”、“导电层”夹在两个“导电螺旋”之间的结构，也未描述“最内匝的第二部分”的组成。	技术特征K引入了位于两个螺旋导体之间的额外导电层，并限定了其在最内匝特定部分的构成。对比文件在描述通孔制造时提到了“钝化层”（passivation polymer 42或thin layer 42），但该钝化层的作用是保护通孔侧壁，防止后续蚀刻，其材料（如C4F8聚合物、SiN、SiC）通常是绝缘体，与目标专利中作为导电通路的“导电层”在材料、功能和作用上完全不同。因此，该特征未被公开。
L. 其特征在于，所述导电层包括非连续螺旋<br>《未公开》	对比文件全文中未提及“导电层”呈“螺旋”状，无论是连续还是非连续。	技术特征L限定了导电层的具体形状（非连续螺旋）。对比文件未公开任何“导电层”结构，更未公开其具有螺旋形状。因此，该特征未被公开。
M. 其特征在于，所述导电层包括输入引线、输出引线、或其组合<br>《未公开》	对比文件全文中未提及“导电层”包含“输入引线”或“输出引线”。	技术特征M限定了导电层可能包含的电气连接部件。对比文件未公开“导电层”这一结构本身，因此更不可能公开其包含引线。
N. 其特征在于，进一步包括形成在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的钝化层<br>《未公开》	对比文件说明书[0018]段：“Plasma gas (e.g., octafluorocyclobutane (C4F8)) can be used to generate a passivation polymer 42 in another chamber. In other embodiments, a thin layer 42 is deposited to passivate the sidewall and bottom of the partial via 40. For example, the thin layer 42 can be SiN or SiC.”	对比文件确实公开了在部分通孔（partial via）的侧壁和底部形成钝化层（passivation polymer 42/thin layer 42）。然而，该钝化层的作用是在蚀刻玻璃基板的过程中保护已蚀刻的通孔侧壁，其位于通孔（一个垂直孔洞）的内壁上，处于与基板表面垂直的平面内。而目标专利的钝化层是形成在两个平行的、平面螺旋状导电层（第二导电螺旋与第一导电螺旋）之间，用于电气绝缘，其位于平行于基板表面的平面内。两者所处的位置、作用对象（垂直孔洞侧壁 vs. 水平导电层之间）和所解决的问题（工艺保护 vs. 层间绝缘）均不相同。本领域技术人员不能毫无疑义地或通过合理推断认为对比文件的通孔侧壁钝化层公开了目标专利中位于两个水平螺旋导电层之间的绝缘层。因此，技术特征N未被公开。
O. 其特征在于，所述第二导电螺旋通过延伸穿过所述钝化层的一部分的通孔电连接至所述第一导电螺旋<br>《未公开》	对比文件全文中未提及“第二导电螺旋”、“第一导电螺旋”或连接它们的“通孔”。对比文件中的“through glass via”是贯穿玻璃基板的垂直互连通孔，用于连接基板两侧的电路，而非连接两个堆叠的平面螺旋导体。	技术特征O限定了两个螺旋导体之间通过通孔进行电连接的具体方式。对比文件虽然详细描述了“通孔”（through glass via）的制造，但该通孔的功能是在玻璃基板中形成垂直互连，与目标专利中连接两个堆叠的平面螺旋导体的“通孔”在位置、连接对象和功能上均无关联。由于对比文件未公开“第一导电螺旋”和“第二导电螺旋”，因此连接它们的通孔结构也无从谈起。
P. 其特征在于，所述最内匝在垂直于所述基板的方向上的厚度从所述最内匝的所述第一部分到所述最内匝的所述第二部分单调递增<br>《未公开》	对比文件全文中未提及“电感器”、“最内匝”、“第一部分”、“第二部分”或“厚度单调递增”。	技术特征P限定了最内匝厚度变化的趋势（单调递增）。对比文件描述的通孔制造是一个循环蚀刻过程，每次蚀刻会增加通孔的“深度”，但这是沿基板厚度方向（Z轴）的孔深增加，而目标专利的厚度变化是指导体自身在垂直于基板方向（也是Z轴）上的尺寸变化，且发生在平面螺旋导体的不同横向位置（X-Y平面）上。两者在物理维度、所属结构（孔洞 vs. 实体导体）和变化含义上均不同。因此，该特征未被公开。